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新傲SOI圓片主要有以下特點：

1. 提高運行速度
   在特定的電壓下，建在新傲SOI材料上電路的運行速度比建在普通硅材料上電路的速度提高百分之30%，這極大地提高了微處理器和其它裝置的性能。
2. 降低能量損耗
   新傲SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特別適用于對能量消耗比較高的領域。
3. 改進運行性能
   新傲SOI材料能承受高達350攝氏度甚至500攝氏度的高溫，對那些在惡劣環境下必須運轉良好的設備特別適用。
4. 減小封裝尺寸
   新傲SOI材料能滿足IC制造商對產品越來越小的要求。