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做為SOI材料世界級供應(yīng)商，新傲采用四種技術(shù)為客戶提供全方位SOI解決方案。
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1. SIMOX
SIMOX是注氧隔離技術(shù)的簡稱。新傲科技采用此技術(shù)在普通圓片的層間注入氧離子以形成隔離層。此方法有兩個關(guān)鍵步驟：離子注入和退火。
在注入過程中，氧離子被注入圓片里，與硅發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅沉淀物。然而注入對圓片造成相當大的損壞，而二氧化硅沉淀物的均勻性也不很好。隨后進行的高溫退火能幫助修復圓片損壞層并使二氧化硅沉淀物的均勻性保持一致。這時圓片的質(zhì)量得以恢復而二氧化硅沉淀物所形成的埋層具有良好的絕緣性。
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2. Bonding
通過在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之間使用鍵合技術(shù)，兩個圓片能夠緊密鍵合在一起，并且在中間形成二氧化硅層充當絕緣層。鍵合圓片在此圓片的一側(cè)削薄到所要求的厚度后得以制成。
這個過程分三部來完成。第一部是在室溫的環(huán)境下使一熱氧化圓片在另一非氧化圓片上鍵合；第二部是經(jīng)過退火增強兩個圓片的鍵合力度；第三部通過研磨、拋光及腐蝕來減薄其中一個圓片到所要求的厚度。
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3. Simbond
在傳統(tǒng)的鍵合和離子注入技術(shù)的基礎(chǔ)上，新傲及其合作伙伴發(fā)展了制備SOI材料的又一種方法：Simbond。 即在硅材料上注入離子，產(chǎn)生了一個分布均勻的離子注入層。此層用來充當化學腐蝕阻擋層，可對圓片在最終拋光前器件層的厚度及其均勻性有很好的控制。采用新傲所首創(chuàng)的Simbond技術(shù)制備的SOI硅片具有優(yōu)越的SOI薄膜均勻性，同時也能得到厚的絕緣埋層。
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新傲科技采用SIMOX，BONDING，SIMBOND和SSS四種工藝，利用先進設(shè)備來制備SOI材料，以確保圓片能夠達到國際半導體標準，并能夠滿足當今世界主流IC生產(chǎn)線的要求。 依靠強大而持續(xù)的技術(shù)支持，整合國產(chǎn)化襯底片良好的性價比以及強大而靈活的加工能力優(yōu)勢，向客戶提供專業(yè)化的外延服務(wù)。
